EUV yok fakat Huawei’nin bir tahlili var: Yeni Kirin çipleri şaşırtabilir

ABD yaptırımları sebebiyle gelişmiş EUV litografi ekipmanlarına erişemeyen Huawei, yayımladığı yeni teknik makalede Kirin 2026 için geliştirilen hibrit bağlama (hybrid bonding) sürecini ve 3D yığın (3D stacking) dizaynını ayrıntılandırdı. Şirketin daha evvel tanıttığı LogicFolding Design yaklaşımını temel alan bu formül, gelişmiş EUV litografi ekipmanına gereksinim duymadan daha yüksek transistör yoğunluğu elde etmeyi amaçlıyor.

Teknik makalede yer alan dizayna nazaran Kirin 2026’da katmanlar arasında yoğun dikey temaslar oluşturuluyor. Böylelikle işlemci bileşenleri yatay yerine dikey olarak istiflenebiliyor ve bileşenler arasındaki fizikî uzaklık kıymetli ölçüde azalıyor.

Daha kısa data yolları, daha yüksek bant genişliği

Huawei’nin paylaştığı teknik bilgilere nazaran bu dizaynda bilgiler, milimetreler yerine mikrometre ölçeğindeki aralarda taşınabiliyor. Bu sayede CPU, GPU, NPU, DRAM ve öteki bileşenler arasındaki bağlantı hızlanırken, elektrik sinyallerinin daha kısa aralıklarda iletilmesi sayesinde güç tüketimi de düşüyor.

Şirket, hibrit bağlama usulünün bant genişliğini artırabileceğini, enerji verimliliğini güzelleştirebileceğini ve gelecekteki taşınabilir işlemcilerin performansını yükseltebileceğini söz ediyor. Bu yaklaşımın aygıt üzerinde çalışan yapay zeka uygulamaları üzere yüksek süreç gücü gerektiren kullanım senaryolarına da katkı sağlaması hedefleniyor.

Paketleme teknolojileri giderek daha fazla ehemmiyet kazanıyor

Huawei’nin teknik çalışması, şirketin SMIC’in 7 nm üretim süreci ile üretim yaptığı mevcut şartlarda gelişmiş paketleme teknolojilerine odaklandığını da gösteriyor. Hibrit bağlama yaklaşımı, gelişmiş litografi teknolojilerine erişim olmadan daha rekabetçi taşınabilir işlemciler geliştirmeye yönelik tahlillerden biri olarak öne çıkıyor.

Benzer çalışmalar bölümdeki başka üreticiler tarafından da yürütülüyor. Mevcut Package-on-Package (PoP) paketleme teknolojilerinin performans açısından sonlarına ulaşması sebebiyle üreticiler farklı sistemler geliştiriyor.

Örneğin, Samsung’un Exynos 2700 işlemcisinde DRAM’in yonga kalıbından başka tutulduğu ve işlemcinin soğutulması için üst kısmında Heat Pass Block ismi verilen bakır bir soğutucunun kullanılacağı belirtiliyor. Öte yandan Apple’ın A20 Pro işlemcisinin ise Wafer-Level Multi-Chip Module (WMCM) paketleme teknolojisinden yararlanacağı ve büyük bir buhar odası ile direkt temas ederek ısının daha verimli formda dağıtılmasının hedeflendiği tabir ediliyor.

Kaynak : Donanimhaber